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BFG21W中文资料

  • 大小：116.31KB
  • 厂家：PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述：UHF power transistor
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：1.35mm
  • 封装类型：CMPAK
  • 尺寸：1 x 2.2 x 1.35mm
  • 引脚数目：4
  • 晶体管类型：NPN
  • 最低工作温度：-65 °C
  • 最大功率耗散：600 mW
  • 最大发射极-基极电压：1 V
  • 最大直流集电极电流：0.5 A
  • 最大集电极-发射极电压：4.5 V
  • 最大集电极-基极电压：15 V
  • 最小直流电流增益：40 V
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 最高工作频率：18000 MHz
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：双极射频
  • 配置：单双发射极
  • 长度：2.2mm
  • 高度：1mm

BFG21W供应商

更新时间:2023-01-02 03:04:03
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