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BFG21W中文资料

  • 大小:116.31KB
  • 厂家:PHILIPS [Philips Semiconductors]
  • 描述:UHF power transistor
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:1.35mm
  • 封装类型:CMPAK
  • 尺寸:1 x 2.2 x 1.35mm
  • 引脚数目:4
  • 晶体管类型:NPN
  • 最低工作温度:-65 °C
  • 最大功率耗散:600 mW
  • 最大发射极-基极电压:1 V
  • 最大直流集电极电流:0.5 A
  • 最大集电极-发射极电压:4.5 V
  • 最大集电极-基极电压:15 V
  • 最小直流电流增益:40 V
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 最高工作频率:18000 MHz
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:双极射频
  • 配置:单双发射极
  • 长度:2.2mm
  • 高度:1mm

BFG21W供应商

更新时间:2023-01-02 03:04:03
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